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单崇新

所属分类:名人大全 编辑:星辰落怀 访问量:2933 更新时间:2024/1/17 7:03:27

单崇新,男,汉族,1977年12月出生,河南长垣人,九三学社社员。现任第十四届全国政协委员,河南省青年联合会副主席,郑州大学副校长,郑州大学物理学院教授、博士生导师。国家杰出青年基金获得者,教育部长江学者特聘教授。

基本资料

名:单崇新

国籍:中国

民族:汉族

:河南长垣

出生日期:1977年12月

毕业院校:武汉大学、中科院长春光学精密机械与物理研究所

主要成就:国家杰出青年基金获得者

政治面貌:九三学社社员

人物经历

1995年9月至1999年7月,就读于武汉大学,获学士学位。

1999年9月至2004年3月,就读于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,获博士学位。

2004至2008年,先后在香港中文大学英国诺丁汉大学做博士后。

2008年3月回国,在中国科学院长春光学精密机械与物理研究所工作,并入选中科院“百人计划”。

2015年,入职郑州大学并任物理工程学院副院长。

2016年8月,任郑州大学物理工程学院副院长(主持工作)。

2019年8月至2021年9月,任郑州大学物理学院院长。

2021年9月,任郑州大学学术副校长。

2022年11月,任郑州大学副校长。

社会兼职

任教育部物理类教学指导委员会委员、教育部科技委员会委员、中国物理学会秋季会议组委会成员、中国物理学会科普委员会委员、九三学社河南省科技委员会主任,九三学社郑大委员会务副主委等职,九三学社河南省委员会副主任委员、任《JournalofPhysics:Photonics》、《JournalofSemiconductors》、《中国光学》、《发光学报》等期刊编委、教育部“长江学者奖励计划”特聘教授,郑州大学金刚石光电材料与器件团队负责人。

2022年12月,任河南省青年联合会副主席。

第十四届全国政协委员

职务任免

2022年12月16日,河南省青年联合会第十三届委员会全体会议,单崇新当选省青联新一届副主席。

学术荣誉

单崇新教授主要从事金刚石光电材料与器件研究,截止到2020年3月,发表SCI论文240篇,论文被引用5500余次,获国家发明专利10项。个人获国家杰出青年基金、长江学者特聘教授、中国青年科技奖、中组部万人计划“青年拔尖人才”、人社部“百千万人才工程”及国家有突出贡献中青年专家、中原学者、河南省杰出专业技术人才、河南省五四青年奖章、河南省创新争先奖状、河南省优秀科技专家等奖励和荣誉。

获奖情况

研究成果获河南省自然科学一等奖(排名第1)、吉林省自然科学一等奖(排名第2)、吉林省科技进步一等奖(排名第2)、吉林省自然科学学术成果二等奖1项(排名第1)。

研究方

●ZnO基光电子材料与器件

●光电探测材料与器件

●表面等离子体在发光器件上的应用

●原子层沉积设备与材料制备

项目资助

主持中国科学院百人计划项目1项,国家自然科学基金项目2项,中国科学院装备研制项目1项;以负责人身份入选吉林省科技创新团队,参与973项目1项。

2015年11月,入选2016年度河南省“中原学者”。

文章著作

(原文)

1.P.N.Ni,C.X.Shan*,S.P.Wang,B.H.Li,Z.Z.Zhang,D.X.Zhao,L.Liu,D.Z.Shen,EnhancedResponsivityofHighlySpectrum-SelectiveUltravioletPhotodetectors,J.Phys.Chem.C116,1350(2012).

2.H.Zhu,C.X.Shan*,B.H.Li,Z.Z.Zhang,D.Z.Shen,K.L.Choy,Low-thresholdelectricallypumpedultravioletlaserdiode,J.Mater.Chem.21(9),2848-2851(2011).

3.F.Sun,C.X.Shan*,B.H.Li,Z.Z.Zhang,D.Z.Shen,Z.Y.Zhang,D.Fan,Areproducibleroutetop-ZnOfilmsandtheirapplicationinlight-emittingdevices,Opt.Lett.36(4),499-501(2011).

4.H.Zhu,C.X.Shan*,B.H.Li,Z.Z.Zhang,B.Yao,D.Z.Shen,Deep-ultravioletlight-emittingdevicerealizedviaahole-multiplicationprocess,Appl.Phys.Lett.99,101110(2011).

5.H.Zhu,C.X.Shan*,J.Y.Zhang,Z.Z.Zhang,B.H.Li,D.X.Zhao,B.Yao,D.Z.Shen,X.W.Fan,Z.K.Tang,X.H.Hou,K.L.Choy,Low-thresholdelectricallypumpedrandomlasers,Adv.Mater.22,1877(2010).

6.H.Zhu,C.X.Shan*,L.K.Wang,Y.Yang,J.Y.Zhang,B.Yao,D.Z.Shen,X.W.Fan,Aroutetoimprovedextractionefficiencyoflight-emittingdiodes,Appl.Phys.Lett.96,041110(2010).

7.J.S.Liu,C.X.Shan*,B.H.Li,Z.Z.Zhang,C.L.Yang,D.Z.Shen,X.W.Fan,Highresponsivityultravioletphotodetectorrealizedviaacarrier-trappingprocess,Appl.Phys.Lett.97,251102(2010).

8.H.Zhu,C.X.Shan*,L.K.Wang,J.Zheng,J.Y.Zhang,B.Yao,D.Z.Shen,Metal-oxide-semiconductorstructuredMgZnOultravioletphotodetectorwithhighinternalgain,J.Phys.Chem.C114,7169–7172(2010).

9.H.Zhu,C.X.Shan*,B.Yao,B.H.Li,J.Y.Zhang,Z.Z.Zhang,D.X.Zhao,D.Z.Shen,X.W.Fan,Y.M.Lu,Z.K.Tang,Ultralow-ThresholdLaserRealizedinZincOxide,Adv.Mater.21,1613(2009).

10.L.K.Wang,Z.G.Ju,J.Y.Zhang*,J.Zheng,D.Z.Shen,B.Yao,D.X.Zhao,Z.Z.Zhang,B.H.Li,C.X.Shan*,Single-crystallinecubicMgZnOfilmsandtheirapplicationindeep-ultravioletoptoelectronicdevices,Appl.Phys.Lett.95,131113(2009).

11.H.Zhu,C.X.Shan*,B.H.Li,J.Y.Zhang,B.Yao,Z.Z.Zhang,D.X.Zhao,D.Z.Shen,X.W.Fan,UltravioletElectroluminescencefromMgZnO-BasedHeterojunctionLight-EmittingDiodes,J.Phys.Chem.C113,2980-2982(2009).

12.Z.G.Ju,C.X.Shan,C.L.Yang,J.Y.Zhang,B.Yao,D.X.Zhao,D.Z.Shen,X.W.Fan,PhasestabilityofcubicMg0.55Zn0.45Othinfilmstudiedbycontinuousthermalannealingmethod,Appl.Phys.Lett.94,101902(2009).

13.D.Y.Jiang,C.X.Shan,J.Y.Zhang,Y.M.Lu,B.Yao,D.X.Zhao,Z.Z.Zhang,X.W.Fan,D.Z.Shen,SchottkyBarrierPhotodetectorsBasedonMg0.40Zn0.60OThinFilms,CrystalGrowthDes.9,454(2009).

14.H.Zhu,C.X.Shan*,B.H.Li,J.Y.Zhang,B.Yao,Z.Z.Zhang,D.X.Zhao,D.Z.Shen,X.W.Fan,UltravioletElectroluminescencefromMgZnO-BasedHeterojunctionLight-EmittingDiodes,J.Phys.Chem.C113,2980(2009).

15.H.Zhu,C.X.Shan*,B.Yao,B.H.Li,J.Y.Zhang,D.X.Zhao,D.Z.Shen,X.W.Fan,HighSpectrumSelectivityUltravioletPhotodetectorFabricatedfromann-ZnO/p-GaNHeterojunction,J.Phys.Chem.C112,20546–20548(2008).

16.C.X.Shan,Z.Liu,S.K.Hark,TemperaturedependentphotoluminescencestudyonphosphorusdopedZnOnanowires,Appl.Phys.Lett.92,073103(2008).

最新研究

2021年10月,郑州大学科研团队在芯片研究领域取得了一项最新进展,其成果发表于国际知名期刊MaterialsHorizons(影响因子:13.266)上。相关结果以“Ga2O3BasedMultilevelSolar-BlindPhotomemoryArraywithLogic,Arithmetic,andImageStorageFunctions”为题发表于MaterialsHorizons。论文第一作者为郑州大学物理学院(微电子学院)博士研究生陈彦成,通讯作者为学院青年教师珣副教授和单崇新教授。

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