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王占国-半导体材料物理学家介绍

所属分类:名人大全 编辑:卖萌天才 访问量:4574 更新时间:2024/1/19 9:14:44

占国

王占国,毕业于南开大学,半导体材料及材料物理学家,中国科学院院士。长期从事半导体材料光电性质、半导体深能级光谱物理,砷化镓材料与器件关系等方面研究,现为中国科学院半导体研究所研究员、博士生导师,获“国家科技进步三等奖”、“国家自然科学二等奖”等荣誉。

人物名片

名:王占国

性别:

国籍:中国

民族:汉族

出生地:河南省南阳市

出生日期:1938年12月

毕业院校:中国科学院院士

主要成就:“国家科技进步三等奖”、“国家自然科学二等奖”

人物履历

1962年,毕业于南开大学物理系,随后进入中国科学院半导体所工作。

1980年-1983年,前往瑞典隆德大学固体物理系从事深能级物理和光谱物理研究。

1986年,担任中国科学院半导体所研究员、材料室主任。

1990年,被批准为中国科学院半导体所博士生导师。

1990年-1994年,担任中国科学院半导体所副所长。

1995年,当选为中国科学院院士。

荣誉成就

1989年,荣获“中国科学院科技进步一等奖”。

1990年,荣获“国家科技进步三等奖”、“中国科学院科技进步三等奖”。

2001年,荣获“国家自然科学二等奖”、“梁何利科学与技术进步奖”。

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