王占国
王占国,毕业于南开大学,半导体材料及材料物理学家,中国科学院院士。长期从事半导体材料光电性质、半导体深能级和光谱物理,砷化镓材料与器件关系等方面研究,现为中国科学院半导体研究所研究员、博士生导师,曾获“国家科技进步三等奖”、“国家自然科学二等奖”等荣誉。
人物名片
中文名:王占国
性别:男
国籍:中国
民族:汉族
出生地:河南省南阳市
出生日期:1938年12月
毕业院校:中国科学院院士
主要成就:“国家科技进步三等奖”、“国家自然科学二等奖”
人物履历
1962年,毕业于南开大学物理系,随后进入中国科学院半导体所工作。
1980年-1983年,前往瑞典隆德大学固体物理系从事深能级物理和光谱物理研究。
1986年,担任中国科学院半导体所研究员、材料室主任。
1990年,被批准为中国科学院半导体所博士生导师。
1990年-1994年,担任中国科学院半导体所副所长。
1995年,当选为中国科学院院士。
荣誉成就
1989年,荣获“中国科学院科技进步一等奖”。
1990年,荣获“国家科技进步三等奖”、“中国科学院科技进步三等奖”。
2001年,荣获“国家自然科学二等奖”、“何梁何利科学与技术进步奖”。