萨支唐
萨支唐（ChihtangSah），1932年11月10日出生于中国北京，美国国籍，物理学家，微电子学家，美国国家工程院院士，台湾中央研究院院士，中国科学院外籍院士，厦门大学物理科学与技术学院教授。萨支唐于1953年获美国伊利诺大学电机工程学士学位和工程物理学士学位；1954年获美国斯坦福大学硕士学位；1956年获美国斯坦福大学博士学位；1959年—1964年供职于美国仙童公司；1964年担任伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校物理系和电子及计算机系教授；1986年当选为美国国家工程院院士；1988年起担任美国佛罗里达大学电机和电子工程系教授、工学院首席科学家；1998年当选为台湾“中央研究院”院士；2000年当选为中国科学院外籍院士；2010年起受聘为厦门大学物理科学与技术学院教授。萨支唐教授长期致力于半导体器件和微电子学研究。
基本资料
中文名：萨支唐
外文名：ChihtangSah
国籍：美国
出生地：中国北京
出生日期：1932年11月10日
毕业院校：斯坦福大学
职业：教育科研工作者
主要成就：1986年当选为美国国家工程院院士
1998年当选为台湾中央研究院院士
2000年当选为中国科学院外籍院士
人物经历
1932年11月10日，萨支唐出生于中国北京。
1949年，从福州英华中学（现福建师范大学附属中学）毕业，赴美国就读于伊利诺伊大学香槟分校。
1953年，获美国伊利诺大学电机工程学士学位和工程物理学士学位。
1954年，获美国斯坦福大学硕士学位。
1956年，获美国斯坦福大学博士学位，毕业后加入肖克利半导体实验室，跟随肖克利在工业界从事固态电子学方面的研究。
1959年—1964年，先后任美国仙童半导体公司高级成员、物理部主任经理。
1964年—1968年，担任伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校物理系和电子及计算机系教授。
1986年，当选为美国国家工程院院士。
1988年起，担任美国佛罗里达大学电机和电子工程系教授、工学院首席科学家。
1998年，当选为台湾中央研究院院士。
2000年，当选为中国科学院外籍院士。
2010年4月1日，受聘为厦门大学物理科学与技术学院教授。
主要成就
萨支唐科研成就
科研综述
萨支唐提出了半导体p-n结中电子-空穴复合理论；开发了半导体局域扩散的平面工艺和MOS、CMOS场效应晶体管，并提出MOS晶体管理论模型；发明了探测半导体中微量缺陷的深能级瞬态谱（DLTS）方法；发现了氢在硅中对受主杂质的钝化作用。
学术论著
截至2022年6月，萨支唐发表了大约280篇学术论文；编辑了晶体管紧凑模型和集成电路发明史方面10部专著，并由世界科学出版公司出版。
学术交流
截至2022年6月，萨支唐应邀做了约170次学术演讲。
萨支唐人才培养
培养成果
据2022年10月中国科学院官网显示，萨支唐先后指导了12名中国研究生。从1961到2010年，萨支唐院士在美国两所大学任教50年，指导了50篇物理学和半导体电子工程博士论文和35篇硕士论文，在这期间和之前，他还指导了50位工业界和学术界的博士后合作者。
教材编写
萨支唐院士为大学二、三年级的学生写了三卷晶体管电子学方面教科书《固态电子学基础》（FSSE1991），《FSSE研究指南》（1993）和《FSSE解决方案手册》（1996）。
学科建设
萨支唐多次来厦门大学对半导体等学科建设进行指导。
萨支唐荣誉表彰
社会任职
个人生活
家庭背景
萨支唐的父亲萨本栋是第一届台湾“中央研究院”院士、厦门大学前校长，母亲是黄淑慎女士曾打破了三项中国奥林匹克田径赛记录，他的弟弟萨支汉是数学家。
婚姻家庭
萨支唐的妻子是张淑南（1959年—2003年），儿子是加州大学生物工程教授。
社会评价
萨支唐对发展晶体管、集成电路以及可靠性研究作出了里程碑性质的贡献。（中国科学院评）
萨支唐热心推动厦门大学的学科发展，积极牵线搭桥，促进厦门大学与世界学术机构和学者建立交流合作关系，有力地推动了厦门大学电子信息学科的发展，还为社会培养了大批半导体专业人才，堪称半导体器件和微电子学的学术大家。（厦门大学评）
人物影响
方程命名
关于MOS晶体管输出电流—电压特性的经典描述被命名为萨支唐方程。