郝跃
郝跃，1958年3月21日出生于重庆市，籍贯安徽阜阳，中国科学院院士，西安电子科技大学教授、博士生导师，西安电子科技大学微电子学院教授，中华全国归国华侨联合会常委、陕西省归国华侨联合会第八届委员会主席。郝跃于1982年毕业于西北电讯工程学院（今西安电子科技大学）半导体物理与器件专业，获学士学位；1985年毕业于西安电子科技大学半导体物理专业，获硕士学位；1991年毕业于西安交通大学计算数学专业，获博士学位；1993年任西安电子科技大学教授，1996年—2017年任西安电子科技大学副校长，2013年当选中国科学院院士。郝跃长期从事宽禁带半导体高功率微波电子学领域的研究和人才培养。
基本资料
中文名：郝跃
国籍：中国
民族：汉族
出生地：重庆市
出生日期：1958年3月21日
毕业院校：西安交通大学
职业：教育科研工作者
主要成就：2013年当选中国科学院院士
籍贯：安徽阜阳
人物经历
1958年3月21日，郝跃出生于重庆市。
1978年—1982年，就读于西北电讯工程学院（今西安电子科技大学）半导体物理与器件专业，毕业获得学士学位。
1982年—1993年，历任西安电子科技大学助教、讲师、副教授。
1983年—1985年，就读于西安电子科技大学半导体物理专业，毕业获得硕士学位。
1988年—1991年，就读于西安交通大学计算数学专业，毕业获得博士学位。
1993年，任西安电子科技大学教授。
1996年—2017年，任西安电子科技大学副校长。
2013年，当选中国科学院院士。
2017年11月，当选九三学社陕西省第十三届委员会主委；年底，当选九三学社第十四届中央委员会委员。
2018年12月，当选为九三学社第十四届中央常务委员会委员。
2023年1月16日，当选第十四届全国人民代表大会代表。
主要成就
郝跃科研成就
科研综述
郝跃在高质量材料生长、器件结构创新、工艺优化实现及其在极端环境下的可靠性、稳定性的研究中取得创新性和应用性成果；发现了氮化物半导体材料生长中气相预反应、表面吸附原子迁移及晶格应力的关键物理机理，提出了一种反应气体脉冲式分时输运原理与方法；发现了二维电子气在高压、高温下迁移率退化与晶格应变驰豫的物理机制，提出了无应变背势垒和多沟道新型氮化镓异质结构，以及新型高K堆栈的介质栅MOS-HEMT器件结构，成功实现了高效率氮化物微波功率器件。
承担项目
截至2021年12月，郝跃先后主持了多项国家科技攻关、863高科技项目、973计划项目、国家自然科学基金等项目。
学术论著
截至2013年5月，郝跃在中国国内外刊物和国际会议上发表论文200余篇，其中SCI180余篇，被他引600余次，专著3本。
科研成果奖励
截至2021年12月，郝跃研究成果获国家八五重大科技成果奖1项，国家技术发明二等奖1项，国家科技进步二、三等奖各1项；电子工业部科技进步一等奖1项；省部级科技进步一等奖1项，二等奖3项，三等奖4项；光华科技二等奖1项；获国家发明专利7项。
郝跃人才培养
指导学生
截至2013年12月，郝跃培养博士39名，硕士100余名。
团队建设
2008年，郝跃科研团队被评为国防科技创新团队。
教学成果奖励
郝跃创立的“理论课程-实践能力-创新素质”三位一体微电子复合型创新人才培养模式获国家级教学成果奖一等奖。
郝跃荣誉表彰
社会任职
人物评价
郝跃是中国第三代半导体电子学领域的开拓者和引领者，也是该领域享誉全球的微电子学知名学者。（西安电子科技大学评）
郝跃是学界大牛。（西安电子科技大学评）
郝跃等全国教书育人楷模认真学习贯彻习近平新时代中国特色社会主义思想，忠诚于党和人民的教育事业，忠实履行国家教育职责，坚持践行“四有好老师”“四个引路人”和“四个相统一”要求，教书育人成绩显著，贡献突出，事迹感人，享有很高社会声誉，具有重要影响力，人民群众公认。（西安交通大学评）
郝跃在40年里，瞄准国际前沿，换道超车，带领团队用10年冷板凳，换来重大创新面对集成电路“锁喉之痛”；他创新人才培养模式，把立德树人作为毕生追求。（微言教育评）