江风益

江风益，男，汉族，1963年出生，江西余干县人，现任中国科学院院士，南昌大学党委委员、副校长，国家硅基LED工程技术研究中心主任。江风益于1984年从吉林大学物理系本科毕业后进入江西工业大学基础课部物理教研室工作；1989年获得中国科学院长春物理所固体发光专业硕士学位；1992年在南昌大学材料科学研究所工作，先后担任副教授、教授；2001年任半导体发光教育部工程研究中心主任；2008年，任南昌大学党委委员、副校长；2019年当选中国科学院院士。江风益长期在南昌大学从事半导体发光方向人才培养、科学研究和社会服务工作

基本资料

中文名：江风益

国籍：中国

民族：汉族

出生地：江西余干

出生日期：1963年

毕业院校：中国科学院长春物理所

职业：教育科研管理工作者

主要成就：2019年当选中国科学院院士

性别：男

人物经历

1980年09月－1984年07月吉林大学物理系原子核物理专业大学本科

1984年07月－1987年08月江西工业大学基础课部物理教研室助教

1987年09月－1989年12月中科院长春物理所固体发光专业研究生

1990年01月－1992年05月江西工业大学基础课部物理教研室讲师

1992年05月－1995年04月南昌大学材料科学研究所副教授

1995年05月－2001年05月南昌大学材料科学研究所教授

2001年06月－2014年12月教育部发光材料与器件工程研究中心主任

2007年01月－2015年12月863计划半导体照明专项总体专家组成员

2008年01月－至教育部“半导体照明技术”创新团队带头人

2008年09月－2017年05月南昌大学党委委员、副校长

2011年01月－至国家硅基LED工程技术研究中心主任

2012年04月－至科技部“半导体照明技术”重点领域创新团队带头人

2017年05月－至南昌大学党委常委、副校长

其他经历

1963年，江风益出生于江西余干县一个农民家庭

1980年9月—1984年7月，江风益就读于吉林大学物理系原子核物理专业大学本科，并获得学士学位。

1984年7月—1987年8月，江风益任江西工业大学基础课部物理教研室助理教授。

1987年9月—1989年12月，江风益就读于中国科学院长春物理所（现中国科学院长春光学精密机械与物理研究所）固体发光专业研究生，并获得硕士学位。

1990年1月—1992年5月，江风益任江西工业大学基础课部物理教研室讲师。

1992年5月—1995年4月，江风益任南昌大学材料科学研究所副教授。

1995年5月—2001年5月，江风益任南昌大学材料科学研究所教授。

2001年6月—2014年12月，江风益任半导体发光教育部工程研究中心主任。

2007年1月—2015年12月，江风益任863计划半导体照明专项总体专家组成员。

2008年01月起，江风益任教育部“半导体照明技术”创新团队带头人。

2008年09月—2017年05月，江风益任南昌大学党委委员、副校长。

2011年01月起，江风益任国家硅基LED工程技术研究中心主任。

2012年04月起，江风益任科技部“半导体照明技术”重点领域创新团队带头人。

2017年05月起，江风益任南昌大学党委常委、副校长。

2019年11月22日，江风益当选中国科学院院士。

2021年10月10日，江风益入选2021年度中国光学学会会士名单。

主要成就

江风益科研成就

科研综述

江风益在硅基氮化镓半导体发光方向取得了开拓性、系统性、创造性学术成就，带领团队取得重大技术突破：硅基黄光LED光功率效率提高到26.7%，远高于中国之外的公开研究记录的最高水平（9.63%）；将高光效黄光和红光LED组合起来，实现了暖色调、无荧光粉、快响应、高光效、长寿命、纯LED光源，率先在路灯、台灯等市场应用；研制出单面出光、光效达56.7%的硅基绿光LED芯片，成功应用于专用飞机显示装备上，解决了抬头显示器功耗大、热量高的难题。

授权专利

截至2019年10月，江风益先后授权中国国内外发明专利90余项。

学术论文

截至2019年10月，江风益先后发表SCI论文90余篇。代表论文如下：

1，彭绍琴,江风益,李越湘.N掺杂TiO_2光催化剂的制备及其可见光降解甲醛[J].功能材料,2005(08):71-73.

2，江风益,刘军林,王立,熊传兵,方文卿,莫春兰,汤英文,王光绪,徐龙权,丁杰,王小兰,全知觉,张建立,张萌,潘拴,郑畅达.硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管[J].中国科学:物理学力学天文学,2015,45(06):19-36.

3，莫春兰,方文卿,王立,刘和初,周毛兴,江风益.硅衬底GaN基LED的研究进展[J].液晶与显示,2005(05):66-73.

4，温战华,王立,方文卿,蒲勇,罗小平,郑畅达,戴江南,江风益.退火温度对ZnO薄膜结构和发光性能的影响[J].半导体学报,2005(03):498-501.

5，刘卫华,李有群,方文卿,莫春兰,周毛兴,刘和初,熊传兵,江风益.Si衬底GaN基LED的结温特性[J].发光学报,2006(02):211-214.

6，周印华,汤英文,饶建平,江风益.光增强湿法刻蚀提高Si衬底垂直结构GaN基LED的出光效率[J].光学学报,2009,29(01):252-255.

7，熊志华,饶建平,江风益.CdS掺Mg和Ni电子结构和光学性质的密度泛函理论研究[J].光学学报,2007(12):2225-2228.

8，万齐欣,熊志华,饶建平,戴江南,乐淑萍,王古平,江风益.Ag掺杂ZnO的第一性原理计算[J].半导体学报,2007(05):696-700.

9，封飞飞,刘军林,邱冲,王光绪,江风益.硅衬底GaN基LEDN极性n型欧姆接触研究[J].物理学报,2010,59(08):5706-5709.

10，苏丽伟,游达,程海英,江风益.Si衬底功率型GaN基绿光LED性能[J].光学学报,2009,29(04):1066-1069.

科研项目

截至2019年10月，江风益先后主持国家863计划、电子发展基金及江西省科技课题项目30余项。

科研奖励

江风益人才培养

研究生培养

截至2016年2月，江风益先后带领50多名硕士研究生和博士研究生。

培养方案

江风益的培养方案是“一套必修课程、一系列实验技能、一种模拟仿真方法、一种ppt演讲技巧、一件发明专利、一篇有新意的毕业论文“——简称“六个一”目标。

江风益荣誉表彰

社会任职

人物评价

江风益团队在基础LED技术的研究颇具成果，并对未来更高能效及光谱精细可调的LED照明光源产生深刻影响。江风益为高光效硅基氮化镓LED的科技进步及产业化做出了开创性贡献。（江西日报评）

江风益是学生的良师益友，他在科研的道路充满艰难险阻但他却甘之如饴，一往无前。（中国青年网评）