郑耀宗
郑耀宗，1939年2月9日出生于香港，籍贯广东中山，微电子学专家，中国科学院院士，香港城市大学前校长、香港大学前校长。郑耀宗于1963年从香港大学毕业后赴加拿大留学；1967年获得加拿大不列颠哥伦比亚大学博士学位；1989年出任香港城市理工学院院长；1995年出任香港城市大学校长；1996年出任香港大学校长；1999年当选成为中国科学院院士；2000年9月在多方压力下辞去香港大学校长职务。郑耀宗长期以来对金属—氧化硅—硅（MOS）系统及其器件物理和工艺技术进行了系统研究。
基本资料
中文名：郑耀宗
国籍：中国
出生地：香港
出生日期：1939年2月9日
毕业院校：不列颠哥伦比亚大学
职业：教育科研工作者
主要成就：1999年当选成为中国科学院院士
原籍：广东中山
人物经历
1939年2月9日，郑耀宗出生于香港，籍贯广东中山三乡镇平南村。
1963年，从香港大学本科毕业，获得理学士学位，之后赴加拿大留学。
1967年，从加拿大不列颠哥伦比亚大学（UniversityofBritishColumbia）毕业，获得博士学位。
1989年—1996年，担任香港城市理工学院（现香港城市大学）院长。
1995年—1996年，担任香港城市大学校长。
1996年—2000年，担任香港大学校长。
1999年，当选为中国科学院院士。
2000年9月，因为“港大民调风波”，在多方压力下辞去香港大学校长职务。
主要成就
科研成就
科研综述
郑耀宗发明了掺氯化氢硅氧化技术，解决了当时金属—氧化硅—硅（MOS）器件和集成电路阈值电压漂移、不能稳定工作的难题，使MOS器件和电路的性能、可靠性和成品率提高。在国际上首先提出了MOS反型层载流子表面粗糙度散射理论，在MOS集成电路进入深亚微米阶段后，这一机理已成为决定MOS反型层载流子迁移率的主要因素，这是对MOS器件物理的一大发展。他是较早开展氮化硅技术的研究者之一。在深亚微米器件模型研究工作中取得重要成果。
人才培养
教育思想
2007年1月9日，郑耀宗来到广东实验中学，旁听了一节高一物理课，和学生们进行了面对面的交流对话。他说“我只想把我的人生经验告诉你们，不要太短视，不要急于求成，一定要把兴趣放在有用的学科上。”
讲座报告
2014年5月16日，中山市科学技术协会特别邀请郑耀宗在中山市第一中学主讲《中山院士论坛》——“求学、研究和人生”。
高校治理
郑耀宗担任香港大学校长期间，在教学方面：将考试由每年一次改为两次，又引入学分制及一年级的中文、英文及资讯科技必修科。
荣誉表彰
1999年，郑耀宗当选为中国科学院院士。
社会任职
人物评价
郑耀宗是微电子领域的著名专家，又曾长期担任世界著名高校校长，在治学和治校方面都取得一流成就。（电子科技大学校党委副书记王亚非评）
郑耀宗在学术界的经验，和他作为香港城市理工学院前院长的成就，以及他广泛的社会关系，都得到了香港大学遴选委员会的赞赏。（香港大学评）