李荫远

李荫远（1919年6月20日—2016年8月22日），出生于四川成都。物理学家。李荫远1938年进入四川大学物理系，1941年转学考试入西南联合大学，1943年毕业到清华大学工作。1947年初赴美国留学，1948年获华盛顿州立大学硕士学位，1951年获伊利诺伊州立大学博士学位。1980-1999年任物理所学术委员会副主任、主任。1980年当选为中国科学院学部委员（院士）。李荫远主要从事磁学、固体物理和光学的理论研究，是中国固体和磁学理论的开拓者之一。

基本资料

中文名：李荫远

国籍：中国

出生地：四川成都

出生日期：1919年6月

逝世日期：2016年8月22日

职业：教育科研工作者

毕业院校：伊利诺伊州立大学

主要成就：1980年当选为中国科学院学部委员（院士）

人物生平

1919年6月，出生于四川成都。

1938年，于成都石室中学高中毕业。因在中学6年每次考试成绩都名列前茅，被保送入四川大学。在高中时，他已将大学的普通物理和普通化学的英文课本念完。在四川大学，他感到课程容易，额外听了一些数学课来充实自己。

1941年，他转入西南联大物理系，1943年大学毕业，先后任四川大学和西南联合大学物理系助教。

1947年，李荫远赴美国留学。他先在华盛顿州立大学做研究生并兼任助教，1948年获硕士学位，学位论文为《Cu-Au合金系统有序的仿化学理论》。

接着在伊利诺州立大学做博士生并兼任研究助理，1951年获哲学博士学位，学位论文为《贝特-维斯（Bethe-Weiss）方法在反铁磁性理论中的应用》，毕业后留校做博士后一年。

1952-1955年，在卡内基理工学院任研究员，并一度在威斯汀豪斯公司磁性材料实验室兼职。

1955年，在威斯汀豪斯公司磁性材料实验室兼职。

1956年，回国，一直在中科院物理所任研究员。

1959-1966年，任固体理论研究室主任。

1972-1977年，任晶体学研究室主任。

1980年，当选为中国科学院学部委员（院士）。

1978-1983年，任晶体学研究室副所长。

2016年8月22日12点18分，因病医治无效，在北京逝世，享年97岁。

主要成就

科研成就

●科研综述

研究工作开始于1945年在西南联大任助教时，在王竹溪老师的指导下整理杨振宁的合金有序化理论的仿化学方法，首次得出Cu3Au的一阶相变解；到美后完成了近邻原子对作用下铜金合金系统有序化转变温度对铜金比的相图和相关工作。1950年开始转向磁学理论，作出了反铁性相变的近似理论、根据超交换作用探讨了好几类过渡族元素氧化物晶体的反铁磁或亚铁磁结构。

磁学理论

李荫远对于磁学理论的研究和磁学人才的培养有着重要的贡献。首先，由于他在国外时就了解到高频磁性材料铁氧体对发展电子学、计算机和微波等新技术的重要性，了解其研究工作的进展概况，回国后又看到经济建设对铁氧体材料的迫切需要，因此他不但亲自从事铁氧体理论的研究，还尽力促进铁氧体实验研究的开展。1960年他曾在物理研究所和全国性讲习会上，较为系统地讲授铁氧体物理学，后来将他与李国栋的讲课讲义整理补充成《铁氧体物理学》出版，成为高等学校磁学专业和有关科研单位及工厂科技人员的重要参考用书。其次，李荫远在磁学理论的几个领域进行了富有成效的工作：（1）他曾首次将原应用于铁磁性理论的贝特-维斯方法推广到具有磁亚点阵的反铁磁性，证明二维点阵不能出现反铁磁有序，计算出简单立方和体心立方结构的反铁磁转变温度与交换耦合常数的关系，后来又将这方法分别推广应用到含有非磁性原子的铁磁固溶体及面心立方点阵上伊辛（Ising）自旋1/2系统和伊辛自旋1系统的反铁磁性，算出了长程和短程有序度、内能、熵、比热、磁化率等随温度的变化曲线。它们都在临界点出现突变。（2）他曾在中子衍射技术开始应用于磁结构研究初期，对舒尔（Shull）等从MnO类粉末样品的中子衍射谱推定的反铁磁亚点阵分布和磁矩方向的结论，提出了另一种应表现同一粉末衍射谱强度的磁亚点阵分布，但磁矩指向符合奈尔（Neel）点以上四种晶体磁晶形变的模型。这一分歧立即推动了进一步使用单晶样品和高分辨率中子衍射技术的实验研究，后来经过许多人努力而获得更丰富的内容。他接着在研究α*.Fe2O3的弱铁磁性时，首次提出了反铁磁畴的概念,并从理论上论证了它的存在根据，还系统地研究了α*.Fe2O3型菱形晶系过渡金属氧化物的超交换作用和磁亚点阵问题。（3）20世纪50年代中后期，铁磁参量微波放大器和晶体二极管参量微波放大器的研究引起广泛关注，李荫远首次提出静磁模与磁声模耦合产生参量振荡的理论，计算了调谐条件和选择定则。又从理论上研究了空间均匀场和不均匀场激发一对静磁模的选择定则，以及旋声理论的研究，促进了对这一问题的深入研究。（4）在50年代中后期，由于高功率铁磁共振和薄膜自旋波共振的新的实验研究，以及铁氧体微波放大器和其他非线性微波磁性器件的试验，引起对自旋波的重视，李荫远从理论上较为系统地研究了铁磁体中杂质对自旋波的影响和形成自旋波的局域模问题。

1960年激光器发明以后，单色相干强光源引起一系列新技术及光学非线性实验和理论的蓬勃发展。李荫远在非线性光学理论方面做出了重要的贡献。1964年，他首先预见到非线性光学中倍频辐射拉曼（Raman）效应。在激光发展初期，他就发表了论文“论高阶辐射过程Raman效应及其在光谱学中的应用”，首次指出在激光束的高强度电磁辐射场内，可以观测到物质从光束吸收两个光子，同时放出一个光子，并产生能级跃迁效应，这是一种高阶辐射过程，还从理论分析得出，可利用这一效应来观测分子或晶体的振动谱。由于其选择定则不同于红外吸收和通常拉曼效应的选择定则，因而提供了一个新的光谱学实验方法。他同时还首次指出实现三光子拉曼效应激射现象的可能性。这一理论在1965年被美国物理学家在实验上证实，以后在国际上通称为超拉曼散射效应。这一新的光谱学实验方法已发展成一种测定既不可能被红外吸收也不被拉曼散射激发的“哑模”（指某些分子振动、晶体光学声子或其他元激发态）的方法，受到国际物理学界重视。后来在“文化大革命”时期的困难条件下，他还积极研究激光出现后光学上的多种非线性效应的物理过程及其技术应用，他与杨顺华合写《非线性光学》一书，较为系统地介绍和讨论了晶体光学的基础，非线性光学的参量过程、受激散射效应和其他效应、电光效应和声光效应以及利用这些效应发展出来的倍频、混频、调幅、Q调制、光偏转和锁模超短脉冲等技术应用。这是中国最早编著的有关非线性光学著作。

激光技术晶

70年代以来，李荫远对激光技术晶体作了多方面的研究，对准一维离子导体在电场作用下的新现象得出完善的理论解释。1972年他任晶体学研究室主任时，除继续推动与激光技术有密切关系的晶体生长研究外，还逐渐恢复了晶体学的一些重要课题，同时积极组织和协调该室与物理研究所其他研究室以及所外一些科研单位和高等学校的协作，对该研究室生长的非线性光学晶体α*.碘酸锂进行了较全面和系统的实验和理论研究，如晶体生长形态和机制、离子导电性、介电频散、电流弛豫和压电器件设计等，同时还意外地发现两种从无先例的新现象，即在该晶体c轴方向加静电场后发现：（1）晶体的中子衍射峰出现选择性的增强；（2）入射光束产生几种衍射带。通过对所有相关实验结果的分析，他认为这些新的现象都是来自α*.碘酸锂的准一维离子导电特性（平行和垂直c轴的电导率之比бc/б⊥≈106）使c轴方向上的载流子成串积累而引起的效应，称为准一维离子导电效应。他还进一步指出，所有准一维离子导体都应具有这种效应。该论断不久便在KTiOPO4晶体中得到充分的验证。这一主要依靠学术思想联系多个学术单位互相协作的基础研究工作，在中国可能是一个极为少见的事例。

●学术论著

1CNYang,YYLi,GeneralTheoryoftheQuasichemicalMethodintheStatisticalTheoryofSuperlattices,ChineseJofPhysics,1947，7：59～71.

2YinyuanLi,QuasichemicalTheoryofOrderfortheCoppergoldAlloySystem,Jhemhys1949，17（5）：447～454.

3YinyuanLi,ApplicationoftheBetheWeissMethodtotheTheoryofAntiferromagnetism,Physev1951，84(15）：721～730.

4YinyuanLi,MagneticMomentArrangementsandMagnetocrystallineDeformationsinAntiferromagneticCompounds，Physev1955，100（2）：627～631.

5李荫远、冷忠昂、潘守甫，磁声参量振荡的理论，物理学报，1960，16（2）：448～461.

6李荫远、许政一、刘大乾，铁氧体参量耦合振荡的理论分析，物理学报，1961，17（3）：117～132.

7李荫远、李国栋，铁氧体物理学，科学出版社，初版，1962；修订版，1978.

8李荫远，论高阶辐射过程Raman效应及其在光谱学中的应用，物理学报，1964，20（2）：164～172.

9李荫远、杨顺华，非线性光学，科学出版社，1974.

10杨桢、程玉芬、牛世文、李荫远，静电场作用下α碘酸锂单晶中子衍射的增强，物理学报，1975，24（1）：6～11.

11刘志明、张富春、徐文兰、李荫远，面心立方点阵上Ising自旋1/2系统反铁磁性和A-B合金超点阵的统计理论——配分函数的级数法，物理学报，1981，30（6）：747～760.

12XuZhengyi,YangHuaguangandLiYinyuan,TheoeLightScatteringduringtheFlowofIonicCurrentinαLiIO3SingleCrystals,ScientiaSinica,SeriesA,1983，26（6）：637～649.

13顾世杰、李荫远，一维离子导体αLiIO3中空间电荷涨落导致的光衍射现象的理论解释（Ⅰ）各向异性模，物理学报，1983，32（7）：888～899.

14顾世杰、李荫远，一维离子导体αLiIO3中空间电荷涨落导致的光衍射现象的理论解释（Ⅱ），各向同性模，物理学报，1983，32（7）：900～909.

15LiYinyuan,TheOnedimensionalPhysicsofαLiIO3，ChinesePhysLett，1984，1（2）：49～52.

16YinyuanLi,SpaceChargeAccumulationinQuasionedimensional（1D）onicconductors，SolidStateIonics,1988，31：99～105.

17YinyuanLiandLiangChen,TheoryofAcousticalActivity,PhysevB,1987，36（18）：9507～9513.

18李国栋、刘再力编辑，李荫远选集，中国科学院物理研究所出版，1989.

19李荫选编纂，当代新诗读本（1949—2004），北京中国文联出版社，2005.

●科研获奖

1980年因静电场作用下α·LiIo3单晶的基础理论研究获中国科学院重大科技成果奖一等奖；1982年因在外电场作用下某些单晶的中子衍射强度异常增大现象的发现获国家自然科学奖三等奖；1987年因α·LiIO3一维离子电导的光栅效应获中国科学院科技进步奖三等奖。

人才培养

李荫远十分关心和重视对年轻科研人才的培养。他待人诚恳热情、平易近人，对青年科研人员既启发他们独立钻研思考，又严格要求。他曾到北京大学和中国科学技术大学讲授磁学、群论等课程。先后在所内外指导和培养了多名硕士和博士研究生，一直指导研究生和博士后的招生、培养和管理工作。

李荫远鼓励学术讨论，倡导学术民主，为年轻科研人员提供了一个自由结合、互相尊重的学术环境。在这样的学术环境和学风熏陶下，培养了几代物理学研究人才，其中许多人成为国内外知名学者。

荣誉表彰

1980年当选为中国科学院学部委员（院士）。

社会任职

曾任《物理学报》副主编、《中国物理快报（英文版）》主编等职。

人物评价

李荫远是中国固体物理研究的开拓者之一。近40年来，他始终在科研第一线从事磁学和固体理论研究工作。他一贯关心物理实验工作，特别是物理学一些新兴和前沿领域的发展，他的许多理论研究常与当时新兴前沿课题密切联系。（九三学社评）