刘明
刘明，女，1964年4月出生于江西丰城，微电子科学与技术专家，中国科学院院士、发展中国家科学院院士，中国科学院微电子研究所研究员、博士生导师，微电子器件与集成技术重点实验室主任，中国科学技术大学国家示范性微电子学院院长。1981年刘明考入合肥工业大学，先后获得学士、硕士学位；1998年获得北京航空航天大学博士学位；2000年被聘为中国科学院微电子研究所研究员和纳米加工与新器件集成技术研究室主任；2008年获得国家杰出青年科学基金资助；2015年当选中国科学院院士；2018年出任中国科学技术大学国家示范性微电子学院院长，同年当选发展中国家科学院院士。刘明长期从事半导体存储器和集成电路的微纳加工等方面的研究。
基本资料
中文名：刘明
外文名：LiuMing
国籍：中国
出生地：江西丰城
出生日期：1964年4月
毕业院校：北京航空航天大学、合肥工业大学
职业：教学科研工作者
主要成就：2015年当选中国科学院院士
2018年当选发展中国家科学院院士
籍贯：安徽宿州
学位：博士
性别：女
人物经历
1964年4月，刘明出生于江西丰城市，籍贯安徽宿州。
1985年，刘明从合肥工业大学本科毕业，获得学士学位。
1988年，刘明从合肥工业大学硕士研究生毕业，获得硕士学位。
1998年，刘明从北京航空航天大学博士研究生毕业，获得博士学位。
2000年，刘明被聘为中国科学院微电子研究所研究员和纳米加工与新器件集成技术研究室主任。
2008年，刘明获得国家杰出青年科学基金资助。
2015年7月31日，刘明入选中国科学院院士增选初步候选人名单，12月7日当选中国科学院院士。
2018年1月25日，刘明出任中国科学技术大学国家示范性微电子学院院长，同年当选发展中国家科学院院士。
2022年8月11日晚间，中芯国际在港交所公告，委任独立非执行董事刘明院士担任董事会审计委员会成员，自2022年8月11日起生效。
主要成就
刘明科研成就
科研综述
刘明长期从事半导体存储器和集成电路的微纳加工等方面的研究，阐明了阻变存储器机理，建立了相应的物理模型；提出了功能层掺杂和局域电场增强的阻变存储器性能调控方法，提高存储器整体性能；拓展了新型闪存材料和结构体系，提出新的可靠性表征技术、失效模型和物理机理；发展了集成电路的微纳加工技术并拓展到禁运的短波衍射元件研制中。
刘明在国际上首次采用软X射线曝光技术实现了256位分子存储器；在32nm技术节点以下的非挥发性存储器替代方案上，提出了利用金属掺杂的技术手段来提高阻变存储器（RRAM）性能和成品率的方法，成为国际上最早提出此概念的两个小组之一，在渐进型的非挥发性存储器替代方案上，着眼于纳米晶浮栅存储结构（Nano-FloatingGate）。
学术论著
截至2017年7月，刘明发表SCI收录论文250多篇，SCI他引超过2800次，6篇论文入选ESI高被引论文榜，两项工作列入2013年ITRS（国际半导体发展路线图）、多项工作作为典型进展被写入15本著作和40篇综述中。授权发明专利180件（含美国授权专利7件），主要专利转让/许可到多家重要集成电路企业。
出版日期 | 名称 | 作者 | 出版社 |
|---|---|---|---|
2013.12 | 《纳米半导体器件与技术》 | （加）KRZYSZTOFINIEWSKI编；刘明，吕杭炳译 | 北京：国防工业出版社 |
2014.08 | 《新型阻变存储技术》 | 刘明著 | 北京：科学出版社 |
学术交流
截至2017年7月，刘明在本领域重要国际会议做邀请报告30多次。
承担项目
截至2015年12月，刘明先后主持参与了多项国家973、863项目。
科研成果奖励
截至2017年7月，刘明先后获得国家技术发明二等奖3项、国家科技进步二等奖1项、中国电子学会科学技术奖自然科学类一等奖、北京市科学技术一等奖2项、北京市科学技术二等奖2项和中国科学院杰出成就奖等奖项。
获奖时间 | 项目名称 | 奖励名称 |
|---|---|---|
2002年 | 0.18um的集成电路工艺技术 | 北京市科学技术二等奖（排名第3） |
2003年 | 27nmCMOS器件 | 北京市科学技术一等奖（排名第10） |
2005年 | HighPerformance70nmCMOSDevices | 中国科协期刊第一届优秀论文奖 |
2005年 | 亚30纳米CMOS器件相关的若干关键工艺技术研究 | 国家技术发明二等奖（排名第四） |
2006 | 中高频声表面波关键材料与器件研究 | 省级一等奖 |
2007年 | 中高频声表面波关键材料及技术研究 | 国家技术发明二等奖（排名第二） |
2009年 | 移动通讯用滤波器关键技术及产业化 | 国家科技进步二等奖（排名第四） |
2010年 | 微纳结构‘自上而下’制备核心技术与集成应用 | 北京市科学技术一等奖（排名第1） |
2013年 | 高精度微纳结构掩模制造核心技术 | 国家技术发明二等奖（排名第一） |
2014年 | 阻变存储器及集成的基础研究 | 北京市科学技术二等奖（排名第1） |
2014年 | 极大规模集成电路关键技术研究集体 | 中国科学院杰出成就奖（排名第8） |
2015年 | 阻变存储器机理与性能调控 | 中国电子学会科学技术奖自然科学类一等奖（排名第一） |
2016年 | 氧化物阻变存储器机理与性能调控 | 国家自然科学奖（排名第一） |
刘明人才培养
教育思想
刘明提出：导师应首先做到让学生尊重信赖的人，并建议年轻导师保持乐观的生活和工作态度，学高为师，身正为范。
教学成果奖励
刘明荣誉表彰
社会任职
人物评价
刘明长期致力于微电子科学技术领域的研究，在存储器模型机理、材料结构、核心共性技术和集成电路的微纳加工等方面做出了系统、创造性贡献。她建立了阻变存储器（RRAM）物理模型，提出并实现高性能RRAM和集成的基础理论和关键技术方法，产生重要国际影响。（中国科学技术大学国家示范性微电子学院评）