许居衍

许居衍，1934年7月9日出生于福建省福州市，微电子技术专家，中国工程院院士，中国电子科技集团公司第五十八研究所名誉所长、教授级高级工程师。许居衍于1957年从北京大学毕业后被分配到国防部第十研究院第十研究所工作；1961年调入第十研究院第13研究所工作；1970年至1985年担任第四机械工业部第24研究所课题组长，研究室主任，所副总工程师，总工程师；1985年至1993年担任电子工业部无锡微电子研究中心、无锡微电子联合公司、中国华晶电子集团公司总工程师；1993年担任中国电子科技集团公司第五十八研究所名誉所长；1995年当选为中国工程院院士。许居衍长期从事半导体技术与微电子工业的开发工作。

基本资料

中文名：许居衍

国籍：中国

民族：汉族

出生地：福建省福州市闽侯县

出生日期：1934年7月9日

毕业院校：北京大学

职业：教育科研工作者

主要成就：1995年当选为中国工程院院士

性别：男

政治面貌：中国共产党党员

人物经历

1934年7月9日，许居衍出生于福建省福州市闽侯县都巡村。

1953年，从福建省闽侯中学毕业后考入厦门大学物理系。

1956年秋，转入北京大学半导体物理专业。

1957年，毕业后被分配到国防部第十研究院第十研究所，负责半导体致冷效应及其在无线电设备中的应用研究。

1961年10月，调入中国电子工业部门第一个半导体专业研究所——第十三研究所，任“固体电路预先研究”课题组长，成为中国第一块硅平面单片集成电路的主要研制者。

1965年7月，第十三研究所组建集成电路研究室，许居衍担任课题组长，从事二极管—晶体管逻辑（DTL）电路研究。

1970年，参与了中国第一个集成电路专业研究所——第二十四研究所的创建。

1970年—1975年，担任课题组长。

1975年—1980年，担任研究室主任。

1980年—1985年，担任总工程师。

1980年，加入中国共产党。同年被授予高级工程师。

1983年，作为国务院大规模集成电路与计算机（后更名为电子振兴）领导小组顾问，参与国家和电子部关于加速发展中国大规模集成电路工业、加快开发电子产品的决策咨询。

1985年，参与了第二十四研究所无锡分所组建以及随后与无锡742厂共创的第一个微电子科研生产联合企业——无锡微电子联合公司（1988年改为中国华晶电子集团公司）的创建工作，并担任公司总工程师。同年授予教授级高级工程师职称。

1990年，参与了中国发展微电子重大专项计划“908工程”的制定研讨工作，作为专家组成员，参与了“908工程”的选点评估。

1993年02月，担任电子工业部第58所（无锡微电子研究中心）名誉所长。

1994年，作为中方专家组组长，参与了“909”项目的推动咨询研究，该咨询研究促进了上海华虹公司的建立。

1995年，当选为中国工程院院士。

主要成就

许居衍科研成就

科研综述

许居衍于1960年代初，主持摸索集成电路制造技术，研制成功中国第一代硅平面单片集成电路并转移工厂生产。相继提出并研制成功高速发射极分流限制饱和逻辑电路、集成注入肖特基逻辑电路等创新结构，用于中国早期计算机。1970年代筹建大规模集成电路新工艺，主持研制成功图形发生器、图形数字转换机、控制计算机等组成的自动化制版系统和用于图形编辑的集成电路计算机辅助设计（CAD）系统，以及离子注入等新工艺，为成功研制动态随机存储器等多种大规模集成电路开辟了技术基础。

1987年，许居衍从“造”与“用”的对立统一观出发，提出了硅主流产品总是围绕“通用”与“专用”特征循环、每10年波动一次的“硅产品特征循环”规律。

许居衍于1980—90年代，探索科研与生产结合，促成建立无锡微电子科研生产联合企业。主持完成微米级集成电路大生产技术、标准代工示范工程、微控制器、锗硅HBT等重大项目。参与世行资助中国微电子工业发展研究，归纳发现半导体技术周期性创新规律（“许氏循环”）。主持完成微电子技术前景预测项目研究，成功预测2014—2017年进入硅技术生命曲线上的拐点（“微电子技术发展前景预测”）。

学术论著

许居衍从1958年起，在《电讯技术》《军事无线电电子学简报》《半导体学报》《电子学报》和自己所在研究所自办的刊物以及其他中国国内外有关报刊上发表的关于半导体器件物理、集成电路及其设计、微电子技术经济学等方面的论文和文章达60余篇。

1980年，许居衍在《电子学报》上发表的《非均匀掺杂层的载流子平均迁移率及其应用》一文，计算方法严谨，对器件的工程设计有实际意义，其结果受到相关方面的重视。

1982年，许居衍在《Solid-StateElectronics》上发表的“AverageMobilitiesofCarriesinSubdopedSiliconLayers”，总结了他和所里另一位同志1965年所从事的研究成果，提出了IC埋层杂质扩散和非均匀掺杂层迁移率等理论，为IC工程设计提供了理论依据。

1991年，许居衍以“硅微电子产品史上的六次波动”为节题，完稿入编《未来军事电子》一书中。

学术交流

1986年，许居衍参加厦门微电子发展战略研讨会，发表的论文《关于发展中国微电子工业的几个问题》得到时任上海市市长江泽民的署名来信，给出了“文章对国际微电子技术发展状况的论述和评价有独特见解，对微电子技术的发展趋势剖析比较清晰”。

1988年，许居衍在第一届微电子研究生学术研讨会上提出：微电子技术在经历了分立功能器件、功能机械集成以后，将向功能物理集成（生物芯片）发展；终端装置由分立零件堆积仿形、零件集成仿形后，将向功能自然仿真（生物装置）发展；人类在掌握了金属铁器、非金属硅器等时代工具后，将向掌握有机物器具方向长驱直入的观点，全被《21世纪世界预测》（上海文化出版社，1997，第三版）引用于该书序言《纪元晋千大预测》中。

承担项目

许居衍人才培养

教育思想

许居衍认为：创新源于教育，教育是创新的基础，一个国家教育水平的高低直接决定着这个国家创新能力的强弱，对于创新来说，教育起的是基础性、先导性、全局性的作用。因此，从国家层面构建有利于促进科技创新的政策法规体系，制定出台各种扶持科技创新的政策，尊重规律、尊重现实、尊重创新的人，营造有利于创新的氛围，是十分必要和迫切的。

许居衍荣誉表彰

社会任职

人物评价

许居衍是中国集成电路IC工业技术奠基者和开拓者之一。（厦门大学物理科学与技术学院评）

许居衍是中国微电子工业初创奠基的参与者和当今最重点企业的技术创建与开拓者，为中国微电子工业发展作出了重大贡献。（中国工程院资深院士孙俊人评）

许居衍探索科研与生产结合新模式，促成无锡微电子科研生产联合企业的建立，为南方微电子基地的发展做出贡献。（江苏省科协人才服务中心评）