王圩
王圩（1937年12月25日-2023年1月26日），出生于河北文安，半导体光电子学专家，中国科学院院士，中国科学院半导体研究所研究员、博士生导师。王圩主要从事半导体材料和器件研究工作。王圩1960年从北京大学物理系半导体物理专业毕业，到中国科学院半导体研究所工作；1987年赴日本东京工业大学访问研究一年；1997年当选为中国科学院院士；2007年获得何梁何利基金科学与技术进步奖。2023年1月26日，王圩因病医治无效，在北京逝世，享年86岁。
基本资料
中文名：王圩
国籍：中国
出生地：河北省廊坊市文安县
出生日期：1937年12月25日
逝世日期：2023年1月26日
毕业院校：北京大学
职业：教育科研工作者
主要成就：1997年当选为中国科学院院士
性别：男
人物生平
1937年12月25日，王圩出生于河北省廊坊市文安县。
1960年，从北京大学物理系半导体物理专业毕业，到中国科学院半导体研究所工作，先后担任半导体所学术委员会副主任、光电子中心副主任。
1987年，赴日本东京工业大学访问研究一年。
1988年，担任中国科学院半导体研究所研究员。
1997年，当选为中国科学院院士。
2023年1月26日，王圩因病医治无效，在北京逝世，享年86岁。
主要成就
王圩科研成就
科研综述
王圩早期从事无位错硅单晶和Ⅲ—Ⅴ族化合物异质结液相外延研究，为使中国砷化镓基激光器从液氮温度提高到室温工作做出了贡献。1979年开始从事长波长镓铟砷磷四元双异质结激光器和动态单频激光器研究，其中代表性成果包括应变层多量子阱分布反馈激光器、反位相增益耦合型分布反馈激光器及其与扇形放大器单片集成的主振功放器件等。
学术论著
根据2021年8月何梁何利基金网站显示，王圩先后发表相关论文99篇。
承担项目
科研成果奖励
根据2021年8月何梁何利基金网站显示，王圩先后获得中国材料研究学会科学技术一等奖一次；国家科技进步奖二等奖两次；中国科学院科技进步奖一等奖一次、二等奖两次；国家“六.五”攻关奖一次；凝炼出了40项相关发明专利技术（已获国家发明专利授权16项）。
王圩人才培养
根据2021年8月何梁何利基金网站显示，王圩先后培养的5名硕士、22名博士研究生中，有两名获得中国科学院院长奖，一名获得教育部宝钢奖。
招生专业
王圩的招生专业是：微电子学与固体电子学、物理电子学。
招生方向
王圩的招生方向是：基于InP光电子器件的集成、半导体激光器。
教授课程
王圩教授《光子集成芯片材料与器件进展》《光子芯片集成材料与器件进展》课程。
王圩荣誉表彰
社会任职
个人生活
婚姻家庭
王圩和夫人吴德馨都是20世纪60年代初大学毕业，学的都是半导体，一毕业就都分到了中科院半导体研究所。王圩1960年大学毕业，吴德馨1961年大学毕业，吴德馨于1991年当选为中国科学院学部委员（院士）。
人物评价
王圩为中国光纤通信用半导体光电子器件的发展做出了贡献。（中国科学院评）
王圩为中国半导体光电子科技事业及其产业化发展做出的系统性和创新性的突出贡献，勇于创新、锐意进取的科学精神，爱国奉献、平易近人的高尚品德，以及为国家科学思想库功能发挥和在青年科技人才培养方面取得的突出成绩。（2017年12月24日中国科学院院长、党组书记白春礼在贺信中评）
王圩院士的一生，是无私奉献的一生，是光荣伟大的一生，他对国家和人民无限忠诚，将毕生精力奉献给了我国科技与教育事业。他富有远见卓识和开创精神，以国家的重大需求为目标，为我国的半导体事业作出重大贡献。他严于律己，克已奉公，治学严谨，为人谦和。他的业绩和品德，为中国科技事业树立了一座不朽的丰碑，他崇高的科学精神和道德风范永远值得我们学习和敬仰！（王圩院士治丧委员会评）
人物影响
王圩院士从事科研工作60周年
2017年12月24日，中国科学院半导体研究所学术会议中心举行王圩院士从事科研工作60周年暨DFB组成立30周年学术交流会。